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與現(xiàn)在廣泛使用的硅材料相比高精度分流器，據(jù)了解。輝鉬具有兩個主要優(yōu)點：一是達到同等效用的體積更小。只有0.65納米厚的輝鉬材料，電子在其中能像在2納米厚的硅材料中那樣自如移動，同時，現(xiàn)有技術(shù)還無法將硅資料制作得跟輝鉬材料一樣薄；高精度分流器二是能耗更低。據(jù)估計，輝鉬制成的晶體管在待機狀態(tài)下消耗的能量只是體管的約十萬分之一。

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單層的輝鉬材料顯示出良好的半導體特性，有些性能逾越現(xiàn)在廣泛使用的硅，可望成為下一代半導體資料。

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